高通最新发布的旗舰移动平台骁龙8 Elite Extreme Gen 6，是业内首款率先采用台积电2nm工艺的手机芯片，不过即便用上了最先进的全新制程，新工艺也没能完全解决这款芯片在高负载长时间运行场景下的发热痛点。
最新供应链消息显示，三星在自家的内部适配测试过程中，发现这款处理器存在非常明显的长时间运行性能衰减现象，目前已经把完整的测试结果正式反馈给高通，要求对方尽快拿出针对性的改进优化措施。
据相关报道，高通为了这款骁龙8 Elite Extreme Gen 6专门引入了全新的Offset PoP封装技术，原本希望借助新封装结构大幅改善散热能力，进而拉高芯片的长时间持续性能表现。
但在三星开展的多轮内部验证测试里，这款芯片在长时间运行高负载手游、大型渲染等任务时，依然会出现温度超标之后的强制降频动作，直接导致核心运行频率明显下滑，最终拖累全机的持续性能输出表现，没法完全发挥出2nm工艺应有的性能潜力。
高通近些年在旗舰移动芯片领域一直坚持非常激进的性能取向策略，公司不仅第一时间抢用最先进的半导体制程工艺，还持续通过不断拉高CPU运行频率的方式，争夺安卓芯片阵营单核、多核性能排行榜的头部位置，这次的骁龙8 Elite Extreme Gen 6的峰值CPU频率甚至首次突破了5GHz大关，创下了安卓旗舰芯片的频率新纪录。
不过更高的频率往往就意味着更高的功耗和发热量，这种设计思路虽然能让芯片在Geekbench这类短时间的基准跑分测试里拿到非常亮眼的成绩，却也让芯片在长时间持续负载的场景下面临更大的散热挑战，性能的大幅提升往往要付出功耗飙升、机身温度过高的代价。
值得注意的是，就在几周前的早期公开测试里，采用全新Offset PoP封装的骁龙8 Elite Extreme Gen 6，还被普遍认为已经大幅改善了前代芯片饱受诟病的持续性能拉胯问题。
当时的测试数据显示，这款芯片升温到105摄氏度的温度阈值，需要的运行时间超过15分钟，而采用传统PoP封装的上一代旗舰芯片，大约运行6分30秒就会达到相同温度阈值。
这组数据足以证明新的封装方案确实明显提升了芯片的热量管理能力，但从三星现在的内部测试结果来看，新方案依旧没有彻底解决持续高负载场景下的散热顽疾。
